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消息称三星电子计划明年 3 月启动第十代 4xx 层 V-NAND 量产线建设

作者：P粉390130307 | 点击: | 来源：P粉390130307

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2025

7月2日消息，据韩国媒体ETNews昨日当地时间报道，三星计划于明年三月启动其新一代3DNAND闪存——第十代V-NAND首条量产线的建设，预计将于同年10月实现全面量产。据报道，该产线将在2026年3月开始设备安装，并在上半年完成整条产线的搭建，随后进入试生产阶段，在工艺稳定后正式转入量产。这一进度略晚于此前部分业内人士的预估。目前，三星最先进的NAND技术为286层的V9工艺，而下一代V10的堆叠层数预计将突破400层（据悉约为430层），届时将...

7 月 2 日消息，据韩国媒体 etnews 昨日当地时间报道，三星计划于明年三月启动其新一代 3d nand 闪存——第十代 v-nand 首条量产线的建设，预计将于同年 10 月实现全面量产。

据报道，该产线将在 2026 年 3 月开始设备安装，并在上半年完成整条产线的搭建，随后进入试生产阶段，在工艺稳定后正式转入量产。这一进度略晚于此前部分业内人士的预估。

目前，三星最先进的 NAND 技术为 286 层的 V9 工艺，而下一代 V10 的堆叠层数预计将突破 400 层（据悉约为 430 层），届时将成为堆叠层数最高的闪存产品，同时还将采用超低温蚀刻与混合键合等创新技术。

根据三星电子为今年 2 月 ISSCC 2025 会议准备的演讲内容，其 V10 NAND 的 TLC 版本可达到 28Gb/mm2 的存储密度以及 5.6Gbps 的 I/O 引脚速度。

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