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三星闪存涨价100%：涨幅远超市场预期！

作者：心靈之曲 | 点击: | 来源：心靈之曲

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快科技1月25日讯，据多方消息证实，三星已于2024年第一季度将NAND闪存的供货价格上调逾100%，远超此前市场普遍预估，暴露出当前半导体领域供需矛盾持续加剧的严峻现实。据产业链内部人士透露，三星电子已于2023年年末完成与核心客户的年度供应协议磋商，并自今年1月起正式启用新定价机制。此次NAND大幅提价紧随DRAM内存价格飙升近70%之后，再度向业界释放出强烈的涨价信号。目前，三星已启动第二季度NAND价格谈判工作，业内普遍判断，涨价态势短期内难见拐点。此轮剧烈调价的深层动因，直指AI基础设...

快科技1月25日讯，据多方消息证实

，三星已于2025年第一季度将nand闪存的供货价格上调逾100%，远超此前市场普遍预估，暴露出当前半导体领域供需矛盾持续加剧的严峻现实。

据产业链内部人士透露，三星电子已于2025年年末完成与核心客户的年度供应协议磋商，并自今年1月起正式启用新定价机制。

此次NAND大幅提价紧随DRAM内存价格飙升近70%之后，再度向业界释放出强烈的涨价信号。目前，三星已启动第二季度NAND价格谈判工作，业内普遍判断，涨价态势短期内难见拐点。

此轮剧烈调价的深层动因，直指AI基础设施建设对高端存储芯片的爆发式需求。一方面，全球数据中心加速扩容，带动企业级SSD订单激增；另一方面，“端侧AI”快速落地，推动智能手机、笔记本电脑等终端设备向更高容量存储方案升级，整体存储芯片需求呈现几何级跃升。

但供给端却未能实现同步响应。过去一年间，以三星为代表的头部厂商均未启动大规模扩产计划，资本开支整体维持保守姿态。

尽管官方未宣布减产，但行业实际出货增速明显放缓，叠加先进制程切换过程中旧产线退出与新产线爬坡带来的产能置换效应，导致有效产出严重滞后于需求扩张，市场逐步滑入“价格飞涨、现货紧缺”的失衡状态。

存储芯片价格的频繁大幅波动，正日益演变为制约AI产业规模化落地的关键瓶颈。随着DRAM与NAND双双进入高位运行区间，AI算力基建的整体投入成本持续走高。

业内已有声音指出，不断攀升的存储成本或将延缓AI技术在更广泛场景中的渗透节奏与普及速度。

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