日本纯国产2nm工艺更近了 Rapidus今春试产后端工艺_新闻中心

1月9日消息，全球当前已有三家企业实现或即将实现2nm级别工艺的量产——台积电、三星与intel，而日本rapidus正全

力冲刺成为第四家，目标锁定在2027年正式量产2nm芯片。

时间窗口日益收窄，为确保如期达成目标，Rapidus正加速构建覆盖设计、制造、封装与测试的全链条能力。去年7月，公司已成功展示采用2nm工艺制造的晶圆，标志着前端制程研发取得实质性突破；眼下重心已转向后端工艺（BEOL），即芯片封装与测试环节。

据日本主流媒体报道，Rapidus计划于今年春季在日本精工爱普生千岁事业所内建成占地9000平方米的专项研发基地，随后将立即启动后端工艺的试产工作，涵盖先进芯片封装及PCB级电路组装等关键流程。

所谓后端工艺（BEOL），是半导体制造中继前道晶圆制造之后的核心阶段，尤其在先进节点下，封装已远非传统“打包”概念——高密度互连、硅中介层、3D堆叠等技术深度耦合前端设计，CoWoS、InFO、X-Cube等先进封装方案甚至直接影响AI芯片性能释放。台积电之所以稳居AI算力供应链核心，不仅因其3nm/2nm前道工艺领先，更依赖其独步业界的封装整合能力，成为NVIDIA、AMD等巨头不可替代的合作伙伴。

日本本土长期面临前后端双重短板：既缺乏7nm以下先进制程产线，也严重欠缺高阶封测产能。在此背景下，Rapidus选择自主攻坚全链路，绝非冗余布局，而是规避外部依赖、防止再度被“卡脖子”的战略必需。今春后端试产，正是为2nm量产扫清最后一环障碍——若仅能流片却无法封装，再先进的晶体管也将止步于实验室。

若进展符合预期，Rapidus于2027年实现2nm工艺量产具备较高可行性：技术路径依托与IBM联合开发的GAA晶体管架构；设备方面，ASML最新一代High-NA EUV光刻机及配套干法刻蚀、薄膜沉积系统已陆续进驻北海道千岁IIM-1工厂；资金层面，日本政府持续加码，7万亿日元总投入中，经济产业省直接补贴达1.7万亿日元，为项目提供坚实保障。

但需清醒指出，量产能力不等于商业成功。Rapidus能否真正突围，终极考验在于市场——其2nm芯片由谁采购、用于何处，才是决定生死的关键命题。 若定位为纯代工厂，则需直面台积电、三星在成本、良率、生态协同上的全方位压制；若寄望本土企业消化产能，则必须有匹配2nm性能的高端芯片产品支撑。遗憾的是，在当前全球AI浪潮中，日本尚未出现具备国际影响力的自研大模型、AI加速芯片或高性能通用处理器，终端需求端依然空白。

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