海力士_第2页_淮南兰乔电子商务有限公司

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2026
SK海力士计画于美国设立AI投资据点规模上看10兆韩元
分类：新闻中心 | 作者：冷炫風刃 | 点击:1865

韩国存储芯片巨头SK海力士正就设立专属人工智能（AI）投资机构展开综合评估。公司于1月27日回应称，相关布局“仍在研议多项方案”，此表态紧随此前媒体披露其拟在美国设立AI投资实体的消息。据SK海力士向监管机构提交的文件显示，公司正系统性研究包括成立AI投资子公司的多种路径，但截至目前，尚未敲定最终实...[详情]
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2026
三星大反攻！传HBM4下月启动量产成功打入辉达Rubin供应链
分类：新闻中心 | 作者：舞夢輝影 | 点击:1204

据外媒《路透社》援引知情人士消息，三星电子（Samsung）计划于下个月——即2026年2月——正式启动新一代高带宽内存「HBM4」的大规模量产，并将首批产品交付AI芯片巨头英伟达（Nvidia）。此举标志着三星在与SK海力士长达数年的HBM技术竞逐中实现关键反超。市场反应：三星股价应声大涨2.2%...[详情]
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2026
三星大反攻！传HBM4下月启动量产成功打入辉达Rubin供应链
分类：新闻中心 | 作者：舞夢輝影 | 点击:1204

据外媒《路透社》援引知情人士消息，三星电子（Samsung）计划于下个月——即2026年2月——正式启动新一代高带宽内存「HBM4」的大规模量产，并将首批产品交付AI芯片巨头英伟达（Nvidia）。此举标志着三星在与SK海力士长达数年的HBM技术竞逐中实现关键反超。市场反应：三星股价应声大涨2.2%...[详情]
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2026
内存成本飙升：iPhone 18价格要调整了
分类：新闻中心 | 作者：霞舞 | 点击:882

据韩媒消息，三星电子与SK海力士已正式开启与苹果的磋商，拟大幅提升iPhone所搭载LPDDR内存的供货价格。LPDDR即低功耗双倍数据速率内存，广泛用于智能手机、平板电脑等移动终端设备，目前主流规格为LPDDR5X。此轮涨价的核心动因，在于全球互联网巨头及AI初创公司对人工智能基础设施的巨额投入，...[详情]
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2026
内存成本飙升：iPhone 18价格要调整了
分类：新闻中心 | 作者：霞舞 | 点击:882

据韩媒消息，三星电子与SK海力士已正式开启与苹果的磋商，拟大幅提升iPhone所搭载LPDDR内存的供货价格。LPDDR即低功耗双倍数据速率内存，广泛用于智能手机、平板电脑等移动终端设备，目前主流规格为LPDDR5X。此轮涨价的核心动因，在于全球互联网巨头及AI初创公司对人工智能基础设施的巨额投入，...[详情]
2001
2026
消息称三星电子、SK 海力士今年将缩减 NAND 闪存晶圆投片量
分类：新闻中心 | 作者：霞舞 | 点击:1485

1月20日消息，韩国媒体《ChosunBiz》于当地时间今日援引Omdia最新数据指出，掌控全球超六成NAND产能的两大头部厂商——三星电子与SK海力士，今年将下调NAND晶圆投片规模，此举或进一步加剧NAND闪存市场的供应紧张局面。据悉，三星电子2026年NAND晶圆投片量目标为468万片，相较2...[详情]
2001
2026
SK海力士完成无锡DRAM晶圆厂制程升级占公司40%DRAM产量
分类：新闻中心 | 作者：心靈之曲 | 点击:583

1月20日，据多家媒体报道，全球存储巨头SK海力士已成功完成其位于中国无锡工厂的DRAM制程升级工作，正式将量产节点从此前的1znm全面切换至更先进的1anm工艺。现阶段，无锡工厂的DRAM月产能稳定在约18万至19万片12英寸晶圆之间，其中已有约90%的产线完成向1a制程的过渡。在DRAM技术演进...[详情]
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2026
SK海力士完成无锡DRAM晶圆厂制程升级占公司40%DRAM产量
分类：新闻中心 | 作者：心靈之曲 | 点击:583

1月20日，据多家媒体报道，全球存储巨头SK海力士已成功完成其位于中国无锡工厂的DRAM制程升级工作，正式将量产节点从此前的1znm全面切换至更先进的1anm工艺。现阶段，无锡工厂的DRAM月产能稳定在约18万至19万片12英寸晶圆之间，其中已有约90%的产线完成向1a制程的过渡。在DRAM技术演进...[详情]
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2026
消息称三星电子、SK 海力士今年将缩减 NAND 闪存晶圆投片量
分类：新闻中心 | 作者：霞舞 | 点击:1485

1月20日消息，韩国媒体《ChosunBiz》于当地时间今日援引Omdia最新数据指出，掌控全球超六成NAND产能的两大头部厂商——三星电子与SK海力士，今年将下调NAND晶圆投片规模，此举或进一步加剧NAND闪存市场的供应紧张局面。据悉，三星电子2026年NAND晶圆投片量目标为468万片，相较2...[详情]
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2026
消息称 SK 海力士完成中国江苏无锡 DRAM 内存晶圆厂制程升级
分类：新闻中心 | 作者：霞舞 | 点击:537

1月19日消息，据韩国媒体ETNews于本月14日报道，SK海力士已顺利完成其位于中国江苏无锡的DRAM内存晶圆厂制程升级工作，核心制造工艺已由1znm（即第三代10纳米级）正式迈入1anm（第四代10纳米级）阶段。该无锡工厂承担着SK海力士约三分之一的DRAM产能。报道指出，在当前每月约18万至1...[详情]

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