12月17日，据TheElec消息，三星联合三星先进技术研究所（SAIT）已成功研发出一款新型晶体管，可支持在10纳米以下制程节点制造DRAM芯片。这项技术突破有望突破移动内存持续微缩过程中遭遇的核心物理瓶颈，从而为下一代智能终端提供更强大的存储容量与运算性能。当DRAM制程推进至10纳米以下时，传统工艺受限于量子隧穿、漏电加剧及材料稳定性下降等物理效应，微缩难度显著提升。三星此次推出的“高耐热非晶氧化物半导体晶体管”，展现出卓越的热稳定性——在高达550℃的高温环境下仍能维持稳定电学性能，完全...
12月17日，据the elec消息，三星联合三星先进技术研究所（sait）已成功研发出一款新型晶体管，可支持在10纳米以下制程节点制造dram芯片。
这项技术突破有望突破移动内存持续微缩过程中遭遇的核心物理瓶颈，从而为下一代智能终端提供更强大的存储容量与运算性能。
当DRAM制程推进至10纳米以下时，传统工艺受限于量子隧穿、漏电
加剧及材料稳定性下降等物理效应，微缩难度显著提升。
三星此次推出的“高耐热非晶氧化物半导体晶体管”，展现出卓越的热稳定性——在高达550℃的高温环境下仍能维持稳定电学性能，完全满足先进制程中高热预算工艺的需求。
该晶体管采用垂直沟道结构，沟道长度压缩至100纳米，并已实现与单片CoP（Capacitor-on-Pillar）DRAM架构的兼容集成。实测数据显示，其漏极电流波动极小，在长时间老化测试中亦展现出优异的器件可靠性。
三星指出，该技术将面向未来0a及0b代DRAM产品进行布局，目前尚处于实验室研发阶段。
业内预计，基于该晶体管的高密度DRAM芯片将强化三星在高端内存市场的技术领先地位，最早或于2026年开始逐步导入终端设备量产。
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