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  • 2701
    2026
    史上最优秀移动处理器!酷睿Ultra X9 388H首发评测:核显强于RTX 3050 续航两倍于锐龙轻薄本 史上最优秀移动处理器!酷睿Ultra X9 388H首发评测:核显强于RTX 3050 续航两倍于锐龙轻薄本
    分类:新闻中心 | 作者:花韻仙語 | 点击:342
    一、前言:可媲美Zen5的高效能E-Core倘若一个月前有人告诉你,一款配备16个高性能核心的轻薄本,续航竟能长达23小时;而Intel集成显卡的游戏表现,甚至超越桌面级RTX3050……恐怕没人会信。但如今,Intel已将其变为现实!1月6日,Intel正式推出全新PantherLake平台,即酷...[详情]
  • 2701
    2026
    史上最优秀移动处理器!酷睿Ultra X9 388H首发评测:核显强于RTX 3050 续航两倍于锐龙轻薄本 史上最优秀移动处理器!酷睿Ultra X9 388H首发评测:核显强于RTX 3050 续航两倍于锐龙轻薄本
    分类:新闻中心 | 作者:花韻仙語 | 点击:342
    一、前言:可媲美Zen5的高效能E-Core倘若一个月前有人告诉你,一款配备16个高性能核心的轻薄本,续航竟能长达23小时;而Intel集成显卡的游戏表现,甚至超越桌面级RTX3050……恐怕没人会信。但如今,Intel已将其变为现实!1月6日,Intel正式推出全新PantherLake平台,即酷...[详情]
  • 0801
    2026
    国内首条二维半导体工程化示范线投运:计划今年6月正式通线 国内首条二维半导体工程化示范线投运:计划今年6月正式通线
    分类:新闻中心 | 作者:霞舞 | 点击:1739
    1月8日,据“上海市先导产业促进中心”微信公众号消息,我国首条面向工程化应用的二维半导体示范性工艺线已在上海正式启用。该产线由复旦大学孵化并深度参与培育的产学研融合企业——“原集微”主导建设,预计将于今年6月完成全线贯通,并在第三季度达成等效硅基90纳米节点的工艺能力。作为上海重点布局的三大先导产业...[详情]
  • 0801
    2026
    国内首条二维半导体工程化示范线投运:计划今年6月正式通线 国内首条二维半导体工程化示范线投运:计划今年6月正式通线
    分类:新闻中心 | 作者:霞舞 | 点击:1739
    1月8日,据“上海市先导产业促进中心”微信公众号消息,我国首条面向工程化应用的二维半导体示范性工艺线已在上海正式启用。该产线由复旦大学孵化并深度参与培育的产学研融合企业——“原集微”主导建设,预计将于今年6月完成全线贯通,并在第三季度达成等效硅基90纳米节点的工艺能力。作为上海重点布局的三大先导产业...[详情]
  • 3012
    2025
    台积电2nm正式量产!你猜第一家首发是谁 台积电2nm正式量产!你猜第一家首发是谁
    分类:新闻中心 | 作者:碧海醫心 | 点击:1629
    12月30日最新消息,台积电已悄然启动N22纳米制程的大规模生产,虽未对外正式宣布,但实际进展与早前公布的路线图完全一致。在其官网2nm工艺专题页面中明确写道:“台积电2nm技术已依规划于2025年第四季度进入量产阶段。”进入2026年,N2产能将迅速提升,以满足多家头部客户的芯片代工需求——NVI...[详情]
  • 2312
    2025
    塔塔电子将在印度为罗姆提供后端封测服务,双方结成战略合作伙伴 塔塔电子将在印度为罗姆提供后端封测服务,双方结成战略合作伙伴
    分类:新闻中心 | 作者:心靈之曲 | 点击:748
    12月23日消息,日本半导体厂商ROHM(罗姆)于当地时间昨日宣布,已与印度塔塔电子(TataElectronics)正式建立战略合作伙伴关系,共同推进在印度本土的半导体制造布局,服务印度及全球市场。双方将充分发挥罗姆在功率半导体器件领域的核心技术优势,以及塔塔电子在后端封装与测试环节的先进能力,携...[详情]
  • 1712
    2025
    三星宣布突破10nm DRAM技术 新型内存容量、性能有望大提 三星宣布突破10nm DRAM技术 新型内存容量、性能有望大提
    分类:新闻中心 | 作者:霞舞 | 点击:394
    12月17日,据TheElec消息,三星联合三星先进技术研究所(SAIT)已成功研发出一款新型晶体管,可支持在10纳米以下制程节点制造DRAM芯片。这项技术突破有望突破移动内存持续微缩过程中遭遇的核心物理瓶颈,从而为下一代智能终端提供更强大的存储容量与运算性能。当DRAM制程推进至10纳米以下时,传...[详情]
  • 1712
    2025
    三星宣布突破10nm DRAM技术 新型内存容量、性能有望大提 三星宣布突破10nm DRAM技术 新型内存容量、性能有望大提
    分类:新闻中心 | 作者:霞舞 | 点击:394
    12月17日,据TheElec消息,三星联合三星先进技术研究所(SAIT)已成功研发出一款新型晶体管,可支持在10纳米以下制程节点制造DRAM芯片。这项技术突破有望突破移动内存持续微缩过程中遭遇的核心物理瓶颈,从而为下一代智能终端提供更强大的存储容量与运算性能。当DRAM制程推进至10纳米以下时,传...[详情]
  • 0812
    2025
    为什么硅成为芯片的首选材料:原因揭开 为什么硅成为芯片的首选材料:原因揭开
    分类:新闻中心 | 作者:聖光之護 | 点击:635
    很多人都知道CPU的原材料是硅晶圆,说白了就是从沙子中提炼出来的。但你可能没意识到,除了CPU之外,我们日常使用的绝大多数电子设备——从手机到电脑、从路由器到智能穿戴设备——其核心部件几乎都离不开硅。那么问题来了:为什么硅能成为芯片制造的“不二之选”?在实际使用中,又有哪些关键细节需要特别留意?今天...[详情]
  • 0512
    2025
    从一面接触到四面环绕:一文看懂CPU晶体管的进化 从一面接触到四面环绕:一文看懂CPU晶体管的进化
    分类:新闻中心 | 作者:花韻仙語 | 点击:156
    12月5日消息,提到“晶体管”,相信多数人都有所耳闻——它本质上是一种微型电子开关,堪称现代计算机芯片运行的核心基础。常规晶体管通常包含三个关键部分:-栅极(gate):类比为开关的操控手柄,通过施加电压来调控电流通断。-沟道(channel):即电流流经的路径。-源极(source)与漏极(dra...[详情]
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